可以的。

　　隨著半導體材料技術(shù)的發(fā)展，對硅片的規(guī)格和質(zhì)量也提出更高的要求，適合微細加工的大直徑硅片在市場的需求比例將日益加大。半導體,芯片,集成電路,設計,版圖,芯片,制造,工藝目前世界普遍采用先進的切、磨、拋和潔凈封裝工藝，使制片技術(shù)取得明顯進展。新技術(shù)的導入，使SOI等高功能晶片的試制開發(fā)也進入批量生產(chǎn)階段。對此，硅片生產(chǎn)廠家也增加了對300mm硅片的設備投資，針對設計規(guī)則的進一步微細化。利用超聲波清洗技術(shù)，在清洗過程中超聲波頻率在合理的范圍內(nèi)往復掃動，帶動清洗液形成細微回流，使工件污垢在被超聲剝離的同時迅速帶離工件表面，提高清洗效率。

　　超聲波清洗方法及其放置方向

　　將被洗研磨硅片水平狀放置在清洗槽底部上方柵欄狀的石英棒框架上，在確保清洗槽內(nèi)具有去離子水高度并不斷流動的條件下，利用設在清洗槽底部的超聲波振子進行清洗，超聲波頻率為40KHz，每5分鐘將研磨硅片翻一個面，連續(xù)超洗至被超洗的研磨硅片表面沒有黑色污染物冒出止。超聲波清洗單晶硅片裝置清洗槽的槽壁上設有進水口和出水口，槽底部下方設有超聲波振子，清洗槽槽內(nèi)設有一擱置單晶硅片的框架，框架底壁為柵欄狀的石英棒形成的平面低于去離子水水平面，整個框架由支撐腳支撐在清洗槽內(nèi)。

　　具體實施時，石英棒距離清洗槽的底壁為15厘米。清洗時，單晶硅片可以平置在石英棒上，將現(xiàn)有的豎超洗改成平超洗，消除了單晶硅片在豎超洗狀態(tài)下，污染物會殘留堆積在硅片表面，形成局部區(qū)域清洗不干凈，以及承載硅片的軟體花籃會吸附和阻擋掉超聲波源的傳遞，從而造成硅片表面局部區(qū)域清洗不干凈的現(xiàn)象，具有結(jié)構(gòu)更簡單、用水量大大減少的優(yōu)點。

　　采用超聲波清洗機的優(yōu)點

　　1、采用了真空脫氣技術(shù)有效去除液體中氣體，且運用拋動功能，增強超聲對工件表面油污和污垢的清洗能力，縮短清洗時間;

　　2、洗籃設計轉(zhuǎn)動機構(gòu)重疊不可分拆的零件或形狀復雜的零件，也可做到均勻完整的清洗;

　　3、減壓真空系統(tǒng)能吸出盲孔、縫隙及疊加零件之間的空氣，使超聲波在減壓的狀態(tài)下產(chǎn)生

　　4、真空蒸汽清洗+真空干燥系統(tǒng)利用蒸汽洗凈做養(yǎng)護，實現(xiàn)清洗效果;

　　5、蒸汽清洗、干燥及清洗液加熱的全過程在減壓真空中進行，更有效地確保了安全性;

　　6、防爆配件及簡潔加熱系統(tǒng)，進一步提高安全度;

　　7、加熱溫度自動可調(diào);

　　8、設有安全保險裝置;

　　9、超聲輸出頻率可根據(jù)不同工作情況進行微調(diào).